产品概述
描述
该系列器件是采用先进的专有沟槽栅极场截止结构开发的IGBT。这些器件属于M系列IGBT产品，在逆变器系统性能与效率之间实现理想平衡，兼具低损耗特性和短路保护功能。此外，它的正VCE(sat) 温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
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所有功能
- 最高结温：TJ = 175 °C
- 最短短路耐受时间为10 μs
- VCE(sat) = 1.85 V（典型值）@ IC = 8 A
- 参数分布紧密
- 安全并联
- 正VCE(sat) 温度系数
- 低热阻
- 超快软恢复反向并联二极管
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGW8M120DF3
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 22 Nov 2016 | 22 Nov 2016 |
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STGW8M120DF3 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STGW8M120DF3 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
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Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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