产品概述
描述
该系列器件是采用先进的专有沟槽栅极场截止结构开发的IGBT。这些器件属于M系列IGBT产品，在逆变器系统性能与效率之间实现理想平衡，兼具低损耗特性和短路保护功能。此外，它的正VCE(sat) 温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
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所有功能
- 最高结温：TJ = 175 °C
- 最短短路耐受时间为6 μs
- VCE(sat) = 1.65 V（典型值）@ IC = 75 A
- 参数分布紧密
- 安全并联
- 正VCE(sat) 温度系数
- 低热阻
- 超快软恢复反向并联二极管
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGW75M65DF2
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 19 Sep 2016 | 19 Sep 2016 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 一般描述 | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW75M65DF2 | 批量生产 | Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss | TO-247 | 工业 | Ecopack2 | - | - |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 一般描述 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | ||||||||||||||
| STGW75M65DF2 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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STGW75M65DF2 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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