产品概要
描述
该系列器件是采用先进的专有沟槽栅极场截止结构开发的IGBT。这些器件属于M系列IGBT产品，在逆变器系统性能与效率之间实现理想平衡，兼具低损耗特性和短路保护功能。此外，它的正VCE(sat) 温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
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性能一览
- 最高结温：TJ = 175 °C
- 最短短路耐受时间为6 μs
- VCE(sat) = 1.65 V（典型值）@ IC = 75 A
- 参数分布紧密
- 安全并联
- 正VCE(sat) 温度系数
- 低热阻
- 超快软恢复反向并联二极管
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGW75M65DF2
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| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
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SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 19 Sep 2016 | 19 Sep 2016 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | General Description | Package | Grade | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
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| STGW75M65DF2 | Active 产品已量产 | Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss | TO-247 | Industrial | Ecopack2 | - | - |
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| Part Number | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | General Description | ||
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| STGW75M65DF2 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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STGW75M65DF2 Active
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