Product overview
描述
此器件使用先进的专有沟槽栅场截止结构技术，作为M系列IGBT的一部分，它代表了为了使逆变系统效率最大化同时又兼顾 了低损耗和短路能力的最佳折中。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和超紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
-
All features
- 10μs的短路耐受时间
- VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A
- 紧密的参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 软恢复反并联二极管
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGW15M120DF3
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
Symbols
Footprints
3D models
所有资源
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |