产品概述
描述
此器件使用先进的专有沟槽栅场截止结构技术，作为M系列IGBT的一部分，它代表了为了使逆变系统效率最大化同时又兼顾 了低损耗和短路能力的最佳折中。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和超紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
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所有功能
- 10μs的短路耐受时间
- VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A
- 紧密的参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 软恢复反并联二极管
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGW15M120DF3
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符号
封装
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所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | 細節 | 下載 |
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SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | Options | ||
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| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |