产品概述
描述
该器件将两个IGBT和二极管组成半桥拓扑,封装在一个非常紧凑、坚固且便于表面贴装的封装中。作为HB系列IGBT的一部分,该器件在传导和开关损耗方面针对软换向应用进行了优化。每个开关均集成了具有低正向压降的续流二极管。因此,该产品专为任何谐振和软开关应用而设计,能够最大化效率。
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所有功能
- 通过AQG 324认证
- 高速开关系列
- 最高结温:TJ = 175 °C
- 低VCE(sat) = 1.7 V(典型值)@ IC = 80 A
- 最小尾电流
- 参数分布紧密
- 采用DBC基板,热阻低
- VCE(sat) 正温度系数
- 超快软恢复反向并联二极管
- 隔离额定值3.4 kVrms/min
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质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 一般描述 | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGSH80HB65DAG | 批量生产 | Automotive-grade ACEPACK SMIT half-bridge topology 650 V, 80 A HB series IGBT with diode | ACEPACK SMIT | 汽车应用 | Ecopack2 | 10 | 2023-07-13T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | 一般描述 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGSH80HB65DAG | | | distributors 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 |
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STGSH80HB65DAG 批量生产