650 V IGBT HB系列基于沟槽场截止（TFS）技术，适于在16-60 kHz之间的开关频率下工作的应用。IGBT属于STPOWER系列。
这些高速650 V IGBT具有非常低的饱和电压（典型值为1.6 V）、极小的集电极拖尾电流断开值和175 °C的最大工作温度，可提高焊机、PFC转换器、UPS和太阳能逆变器等应用的能源效率。
HB系列还包括具有低压降续流二极管的IGBT，用于软开关应用。
这些IGBT的额定电流在20-80 A范围之间，可提供广泛的功率封装选项（D2PAK、TO-220、TO-3P、TO-3PF、TO-247、TO-247 LL和TO-247 4L）。
STPOWER IGBT主要特征：
- 高速IGBT：16 至 60 kHz
- 具有高达175°C的工作TJ和650 V的击穿电压，稳定可靠
- 极低的VCE(sat)（低至1.6 V典型）
- 正VCE（sat）温度系数可实现多个IGBT的安全并联
- 组合封装二极管适用于谐振或硬开关电路
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。
