产品概述
描述
该器件是一款采用先进专有沟槽栅极场截止结构设计的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，VCE(sat)正温度系数特性及紧密的参数分布，进一步提升了并联操作的安全性。
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所有功能
- 最短短路耐受时间为10 μs
- VCE(sat) = 1.85 V（典型值）@ IC = 8 A
- 参数分布紧密
- 正VCE(sat) 温度系数
- 低热阻
- 超快软恢复反向并联二极管
- 最高结温：TJ = 175 °C
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGP8M120DF3
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STGP8M120DF3 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STGP8M120DF3 批量生产
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