产品概要
描述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该IGBT系列在传导和开关损耗之间实现了理想的平衡,最大限度地提升了甚高频转换器的效率。此外,VCE(sat)正温度系数和非常紧凑的参数分布使得并联操作更为简便。
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性能一览
- 高速开关
- 紧凑参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 具有短路额定值
- 软超快速恢复反向并联二极管
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | General Description | Package | Grade | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGP20H60DF | Active 产品已量产 | 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT | TO-220 | Industrial | Ecopack2 | - | - |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持。
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Sample & Buy
| Part Number | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | General Description | ||
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| 最小值 | 最大值 | ||||||||||||||
| STGP20H60DF | | | distributors 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 |
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STGP20H60DF Active