产品概述
描述
意法半导体采用基于专利条带布局的前沿高电压技术设计出先进的IGBT系列，即具有卓越性能的PowerMESH™ IGBT。后缀“S”代表这一系列经过优化，可实现极低的VCE(sat)（在最高频率1 KHz时）。
-
所有功能
- 高输入阻抗（电压驱动）
- 关断损耗包含尾电流
- 低导通电压降 (Vcesat)
- 支持大电流
- 低栅极电荷
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGE200NB60S
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 一般描述 | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGE200NB60S | 批量生产 | N-channel 600 V, 150 A, low drop IGBT | ISOTOP | 工业 | Ecopack2 | - | - | |
STGE200NB60S
Package:
N-channel 600 V, 150 A, low drop IGBTMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 一般描述 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | ||||||||||||||
| STGE200NB60S | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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STGE200NB60S 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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包:
包装类型:
RoHS:
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ECCN (EU):
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