产品概要
描述
最新的HB2系列650 V IGBT代表了先进的专有沟槽栅极场截止结构的发展。得益于低电流值下更优的VCE(sat) 表现以及开关能量的降低，HB2系列的性能在导通方面得到了优化。一个超快速软恢复二极管与IGBT反并联共封装。因此，该产品专为各种快速应用而设计，能够最大化效率。
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性能一览
- 最高结温：TJ = 175 °C
- 低VCE(sat) = 1.65 V（典型值）@ IC = 20 A
- 内置超快软恢复组合封装二极管
- 最小尾电流
- 参数分布紧密
- 低热阻
- 正VCE(sat) 温度系数
特别推荐
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGB20H65DFB2
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| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
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SPICE models (1)
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| ZIP | 1.0 | 19 May 2020 | 19 May 2020 |