产品概述
描述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该IGBT系列在传导和开关损耗之间实现了理想的平衡，最大限度地提升了甚高频转换器的效率。此外，VCE(sat)正温度系数和非常紧凑的参数分布使得并联操作更为简便。
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所有功能
- 高速开关
- 紧凑参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 具有短路额定值
- 软超快速恢复反向并联二极管
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGB20H60DF
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 一般描述 | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB20H60DF | 批量生产 | 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT | D2PAK | 工业 | Ecopack2 | |
STGB20H60DF
Package:
600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBTMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | 一般描述 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | ||||||||||||||
| STGB20H60DF | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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STGB20H60DF 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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