产品概述
描述
该系列器件为采用先进的PowerMESH技术开发的超高速IGBT。该工艺可保证在开关性能与低通态行为之间实现完美平衡。
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所有功能
- 较低的导通压降 (VCE(sat))
- 较低的Cres/Cies比率（无交叉导通易感性）
- 超快超软恢复反向并联二极管
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STGB10NC60HDT4
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符号
封装
3D模型