产品概述
描述
该器件是一款采用先进专有沟槽栅极场截止结构设计的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，正VCE(sat)温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
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所有功能
- 最高结温：TJ = 175 °C
- 短路耐受时间为10 μs
- 低VCE(sat) = 1.7 V（典型值）@ IC = 50 A
- 参数分布紧密
- 正VCE(sat)温度系数
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STG50M120F3D7
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating temperature (°C) | Operating Temperature (°C) (max) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STG50M120F3D7 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | |||||||||||
STG50M120F3D7 NRND
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
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ECCN (US):
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