产品概述
描述
该器件是一款采用先进专有沟槽栅极场截止结构设计的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，正VCE(sat)温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。
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所有功能
- 最高结温：TJ = 175 °C
- 短路耐受时间为10 μs
- 低VCE(sat) = 1.7 V（典型值）@ IC = 50 A
- 参数分布紧密
- 正VCE(sat)温度系数
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STG50M120F3D7
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