产品概述
描述
这种超高电压N沟道功率MOSFET基于意法半导体20年的超结技术经验,采用终极MDmesh K6技术设计而成。其结果为最佳单位面积导通电阻和栅极电荷,适用于需要出色的功率密度和高效率的应用。
-
所有功能
- 全球最佳RDS(on) x 面积
- 全球出色的品质因数(FoM)
- 极低的栅极电荷
- 经过100%雪崩测试
- 稳压保护
您可能还会喜欢...
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 25 Mar 2022 | 25 Mar 2022 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD80N240K6 | 批量生产 | DPAK | 工业 | Ecopack2 | 10 | 2024-06-04T00:00:00.000+02:00 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STD80N240K6 | | | distributors 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 |
STD80N240K6 批量生产