产品概述
描述
The SGT080R70ILB is a 700 V, 29 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
-
所有功能
- Enhancement mode normally off transistor
- Very high switching speed
- High power management capability
- Extremely low capacitances
- Kelvin source pad for optimum gate driving
- Zero reverse recovery charge
- ESD safeguard
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - SGT080R70ILB
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
硬件型号 (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 18 Aug 2025 | 18 Aug 2025 |
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 11 Aug 2025 | 11 Aug 2025 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SGT080R70ILB | 批量生产 | POWERFLAT 8X8 HV FOR POWERGAN | 工业 | Ecopack1 | - | - | |
SGT080R70ILB
Package:
POWERFLAT 8X8 HV FOR POWERGANMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SGT080R70ILB | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
SGT080R70ILB 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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