产品概述
描述
该碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体先进的第二代SiC MOSFET创新技术开发而成。该器件单位面积导通电阻极低且具有良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
-
所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 稳定的超快速本体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - SCTWA60N120G2AG
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 16 Jun 2021 | 16 Jun 2021 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCTWA60N120G2AG | NRND | HIP247 long leads | 汽车应用 | Ecopack2 | - | - | |
SCTWA60N120G2AG
Package:
HIP247 long leadsMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCTWA60N120G2AG | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
SCTWA60N120G2AG NRND
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
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无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
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ECCN (US):
ECCN (EU):
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