产品概述
描述
该碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体先进的第二代SiC MOSFET创新技术开发而成。该器件单位面积导通电阻极低且具有良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
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所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 稳定的超快速本体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - SCTWA60N120G2AG
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符号
封装
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所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | 細節 | 下載 |
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SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | Options | ||
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| ZIP | 1.0 | 16 Jun 2021 | 16 Jun 2021 |