产品概述
描述
该碳化硅功率MOSFET利用宽禁带半导体材料的先进创新特性制造而成。实现单位面积无可比拟的低导通电阻以及几乎不受温度影响的优异开关性能。碳化硅（SiC）材料具有出色的热性能，使设计人员能够采用符合行业标准的设计，显著提高器件的散热能力。这些特性使该器件非常适合高效率和高功率密度应用。
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所有功能
- 在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)
- 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
- 稳定的超快速本体二极管
- 低电容
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - SCTWA30N120
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符号
封装
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