产品概述
描述
该碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体先进的第三代SiC MOSFET创新技术开发而成。该器件在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)，兼具低电容和非常高的开关频率，不仅能提高应用的频率、能效性能，还能减小系统尺寸和重量。
-
所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)
- 高速开关性能
- 稳定的超快速本体二极管
- 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
- 供电检测引脚可提高效率
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - SCTHS200N120G3AG
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | 細節 | 下載 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 21 Oct 2022 | 21 Oct 2022 |