产品概要
描述
该碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体先进的第三代SiC MOSFET创新技术开发而成。该器件在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)，兼具低电容和非常高的开关频率，不仅能提高应用的频率、能效性能，还能减小系统尺寸和重量。
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性能一览
- 符合AEC-Q101标准
- 在整个温度范围内都具有极低的RDS(on)
- 高速开关性能
- 稳定的超快速本体二极管
- 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
- 供电检测引脚可提高效率
- 低热阻多层烧结封装
- 最小爬电距离7.3 mm（包括0.6 mm颗粒）
- 1020 Vrms PD2
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - SCTHCT250N12G3AG
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