产品概述
描述
该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。该器件单位面积导通电阻极低且具有良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
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所有功能
- 稳定的超快速本体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 源极感应引脚可提高效率
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - SCTH70N120G2V-7
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| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | 細節 | 下載 |
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SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | Options | ||
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| ZIP | 2.0 | 01 Jun 2023 | 01 Jun 2023 |