产品概述
描述
该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。该器件单位面积导通电阻极低且具有良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
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所有功能
- 稳定的超快速本体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 源极感应引脚可提高效率
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - SCTH70N120G2V-7
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封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 2.0 | 01 Jun 2023 | 01 Jun 2023 |
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCTH70N120G2V-7 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
SCTH70N120G2V-7 批量生产
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