产品概述
描述
该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此，器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻，以及卓越的开关性能，随温度变化极小。碳化硅（SiC）材料具有出色的热性能，使设计人员能够采用符合行业标准的设计，显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。
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所有功能
- 导通电阻随温度变化敏感温度
- 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
- 稳定的超快速本体二极管
- 低电容
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - SCT50N120
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符号
封装
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所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 06 Mar 2017 | 06 Mar 2017 |
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT50N120 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
SCT50N120 批量生产
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