Product overview
描述
该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此，器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻，以及卓越的开关性能，随温度变化极小。碳化硅（SiC）材料具有出色的热性能，与独有的HiP247™封装的器件外壳相结合，使设计人员能够采用符合行业标准的设计，显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。
-
All features
- 导通电阻随温度变化敏感温度
- 适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C)
- 稳定的超快速本体二极管
- 低电容
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - SCT10N120
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
Symbols
Footprints
3D models
所有资源
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 27 Mar 2017 | 27 Mar 2017 |