SCT10N120

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碳化硅功率MOSFET,1200 V、12 A、520 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247封装

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产品概述

描述

该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅(SiC)材料具有出色的热性能,与独有的HiP247™封装的器件外壳相结合,使设计人员能够采用符合行业标准的设计,显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。

  • 所有功能

    • 导通电阻随温度变化敏感温度
    • 适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C)
    • 稳定的超快速本体二极管
    • 低电容

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - SCT10N120

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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HIP247 工业 Ecopack2

SCT10N120

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HIP247

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HIP247

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Ecopack2

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