产品概述
描述
该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此，器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻，以及卓越的开关性能，随温度变化极小。碳化硅 (SiC) 材料具有出色的热性能，与采用独有的HiP247封装的器件外壳相结合，使设计人员能够在采用行业标准外形的同时显著提升热性能。这些特性使器件非常适合高效率和高功率密度应用。
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All features
- 通过AEC-Q101（版本C）认证
- 稳定的超快速本体二极管
- 低电容
- 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - SCT1000N170AG
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| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 23 May 2023 | 23 May 2023 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT1000N170AG | Active 产品已量产 | HIP247 | Automotive | Ecopack2 | - | - |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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| SCT1000N170AG | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
SCT1000N170AG Active
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