产品概要
描述
最新的HB2系列650 V IGBT代表了先进的专有沟槽栅极场截止结构的发展。得益于低电流值下更优的VCE(sat) 表现以及开关能量的降低，HB2系列的性能在导通方面得到了优化。
IGBT与碳化硅二极管共同封装在一起。宽带隙材料使其能够设计出额定电压为650 V的低VF肖特基二极管结构。由于采用肖特基结构，关断时无反向恢复现象，且振铃效应可忽略不计。
其极低的容性关断行为不受温度影响。在经过技术优化后，该二极管具有增强的正向浪涌电流能力，是PFC和LLC的理想之选。
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性能一览
- 符合AEC-Q101标准
- 最高结温：TJ = 175 °C
- 高速开关系列
- 最小尾电流
- 低VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 50 A
- 参数分布紧密
- 低热阻
- 正VCE(sat) 温度系数
- 无反向恢复电荷的碳化硅二极管以续流配置方式共同封装
- 通过额外的驱动kelvin引脚实现出色的开关性能
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - GH50H65DWB2-7AG
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