产品概述
描述
最新的HB2系列650 V IGBT代表了先进的专有沟槽栅极场截止结构的发展。得益于低电流值下更优的VCE(sat) 表现以及开关能量的降低，HB2系列的性能在导通方面得到了优化。
IGBT与碳化硅二极管共同封装在一起。宽带隙材料使其能够设计出额定电压为650 V的低VF肖特基二极管结构。由于采用肖特基结构，关断时无反向恢复现象，且振铃效应可忽略不计。
其极低的容性关断行为不受温度影响。在经过技术优化后，该二极管具有增强的正向浪涌电流能力，是PFC和LLC的理想之选。
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所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 最高结温：TJ = 175 °C
- 高速开关系列
- 最小尾电流
- 低VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 50 A
- 参数分布紧密
- 低热阻
- 正VCE(sat) 温度系数
- 无反向恢复电荷的碳化硅二极管以续流配置方式共同封装
- 通过额外的驱动kelvin引脚实现出色的开关性能
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - GH50H65DWB2-7AG
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 一般描述 | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
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| GH50H65DWB2-7AG | 批量生产 | Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A high-speed HB2 series IGBT featuring freewheeling SiC diode in an H2PAK-7 package | H2PAK-7 | 汽车应用 | Ecopack1 | 10 | 2024-08-12T00:00:00.000+02:00 | |
GH50H65DWB2-7AG
Package:
Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A high-speed HB2 series IGBT featuring freewheeling SiC diode in an H2PAK-7 packageMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | 一般描述 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GH50H65DWB2-7AG | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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GH50H65DWB2-7AG 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
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无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
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