意法半导体的600V和650V IGBT基于先进的专有沟槽场截止 (TFS) 技术,不仅在静态和动态特性之间达到了良好平衡,而且其最高结温为 (Tj max.) 175°C,有效增强了器件的可靠性并延长了其使用寿命。IGBT属于STPOWER系列。
裸片IGBT的最大集电极电流高达200A,可在静态和动态特性之间实现不同的平衡,适用于电机控制、伺服驱动、焊接、太阳能和牵引逆变器等一系列应用;此外该产品还提供了不同的包装选项,例如,使用自粘箔纸包装的晶圆或者采用卷带包装的密封晶片。
对于汽车产品,KGD(已知良好晶片)测试设备可进行广泛的测试和检查,从而确保高可靠性和高品质。
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装技术并具有防护特性,可提供高可靠性和安全性,帮助设计人员找到适合的解决方案,设计出定制化、高效且使用寿命长的应用。