1200 V IGBT H系列基于沟槽场截止（TFS）技术，适于在20-100 kHz之间的开关频率下工作的应用。这些高速IGBT具有超短拖尾电流、低关断能量损耗以及超快开启时间，提高了太阳能逆变器、焊机、UPS和PFC转换器等应用的能源效率。IGBT属于STPOWER系列。
175°C的扩展最大工作结温结合较宽的安全工作区（SOA）使其非常适用于恶劣环境中。
对于成本敏感型应用，可提供无二极管型号。该系列的额定电流为15 A、25 A和40 A，可提供标准或长引线TO-247封装。
STPOWER IGBT主要特征：
- 高速IGBT（最大100 kHz）
- 1200 V的击穿电压，5 µs的最小短路额定值（150°C启动TJ）和175°C最大工作TJ条件下，提供了很高的稳健性和可靠性
- 纤薄的IGBT晶片增加了热阻
- 正VCE（sat）温度系数，紧凑的参数分布，简化设计，易于并联
- 组合封装续流二极管可实现快速恢复（足够的平缓性、出色的高速开关和EMI）
意法半导体的1200 V IGBT H系列补充了分别在最大8 kHz以及20 kHz频率下提供最佳效率的1200 V IGBT S系列和M系列。
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。
