STGAP2GSN

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隔离式3 A单通道栅极驱动器,用于增强模式GaN FET

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产品概述

描述

STGAP2GSN是一款单通道栅极驱动器,用于提供栅极驱动通道与低压控制及接口电路之间的电气隔离。

该栅极驱动器具有2 A供电电流和3 A受电电流能力,并支持轨到轨输出,使其同样适用于工业应用中的中高功率场景,如功率转换和电机驱动逆变器。

该器件可以通过专用栅极电阻进行独立的导通和关断优化。

该器件集成了多种保护功能,包括热关断和UVLO,这些功能针对增强型GaN FET进行了优化,可帮助用户轻松设计高效可靠的系统。双输入引脚支持信号极性控制选择,并可实现硬件互锁保护,避免控制器故障时发生交叉导通。

输入到输出的传播延迟控制在45 ns以内,从而提供高精度的PWM控制。

支持待机模式,可有效降低空闲功耗。

  • 所有功能

    • 高压导轨达1700 V
    • 驱动器电流能力:25 ℃、VH = 6 V条件下,供电电流2 A,受电电流3 A
    • dV/dt瞬态抗扰度±100 V/ns
    • 输入到输出的传播延迟:45 ns
    • 独立的供电和受电选项,便于栅极驱动配置
    • UVLO功能针对GaN进行优化
    • 栅极驱动电压高达15 V
    • 带滞后的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
    • 温度关断保护
    • 待机功能
    • 窄体SO-8封装

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意法半导体 - STGAP2GSN

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STGAP2GSNC
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STGAP2GSNCTR
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STGAP2GSNC

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