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L6389E

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高压高侧和低侧驱动器

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产品概述

描述

L6389E是一款高压栅极驱动器,采用BCD™“离线”技术制造,能够驱动功率MOSFET/IGBT器件的半桥。高侧(悬浮)部分能够与最高600 V的电压轨一起工作。两个器件输出分别可提供650 mA受电电流和400 mA供电电流,并且借助集成互锁功能,确保不会同时被驱动为高电平。死区时间功能可进一步确保避免输出交叉导通。

L6389E器件具有两个输入和两个输出引脚,并保证输出与输入同相切换。逻辑输入兼容CMOS/TTL(3.3 V、5 V和15 V),便于与控制设备接口连接。

驱动器集成自举二极管,可提供更紧凑可靠的解决方案。

L6389E器件为两路供电电压(VCC和VBOOT)均提供欠压锁定保护 (UVLO),从而有效增强对电源线电压下降的防护。

该器件提供SO-8管装、卷带和卷盘封装可选。

  • 所有功能

    • 高压导轨达600 V
    • 整个温度范围内dV/dt抗扰度:±50 V/ns
    • 驱动器电流能力:
      • 400 mA供电电流
      • 650 mA受电电流
    • 开关时间:70/40 ns(上升/下降),负载1 nF
    • 3.3 V、5 V、15 V CMOS/TTL输入比较器,带滞后和下拉功能
    • 内部自举二极管
    • 输出与输入同相位
    • 死区时间和互锁功能

电路原理图

EDA符号、封装和3D模型

意法半导体 - L6389E

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质量与可靠性

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L6389ED
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SO-8 工业 Ecopack2 15 2025-01-01T00:00:00.000+01:00
L6389EDTR
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L6389ED

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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