产品概述
描述
PWD5T60是一款三相高密度功率驱动器，集成了栅极驱动器和六个N沟道功率MOSFET。PWD5T60是风扇、泵和小型家电等电机驱动应用的优质解决方案。
集成功率MOSFET具有1.38 Ω的RDS(on) 和500 V阻断电压。该器件的高度集成设计能够高效驱动负载，并显著减小封装尺寸，使PWD5T60成为空间受限应用的优质解决方案。
该器件具有专用的输入引脚（对应每个输出）和关断引脚。逻辑输入兼容CMOS/TTL（可低至3.3 V），便于与控制器件连接。低侧与高侧之间的延时匹配确保了无循环失真，并支持高频操作。
PWD5T60的显著特点是其稳健性。互锁和死区功能可以防止交叉导通，而具有先进智能关机功能的比较器可确保快速有效的过载和过流保护。
低压侧和高压侧的专用UVLO保护功能可防止电源开关在低效或危险条件下工作，从而实现最优的故障安全运行。
零压降集成自举二极管及所有嵌入式功能使PCB的布局设计更加紧凑、简单，同时降低了总体BOM和应用成本。该器件采用12x12x0.95 mm的紧凑型VFQFPN封装。
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所有功能
- 功率驱动器集成了栅极驱动器和高压功率MOSFET：
- RDS(on) = 1.38 Ω
- BVDSS = 500 V
- 宽输入电源电压范围：9 V至20 V
- 集成零压降自举二极管
- 用于快速过流保护的比较器，具有智能关机功能
- 过温保护
- 带滞后的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
- 面向所有沟道的匹配传播时延
- 在低侧和高侧实现UVLO功能
- 互锁和死区功能
- 专用的使能引脚
- 非常紧凑且精简的布局
- 功率驱动器集成了栅极驱动器和高压功率MOSFET：
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EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - PWD5T60
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PWD5T60 | 批量生产 | VFQFPN 12X12X0.95 35L PITCH 0.65 | 工业 | Ecopack2 | 15 | 2025-01-01T00:00:00.000+01:00 | |
| PWD5T60TR | 批量生产 | VFQFPN 12X12X0.95 35L PITCH 0.65 | 工业 | Ecopack2 | 15 | 2025-01-01T00:00:00.000+01:00 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PWD5T60TR | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | ||||||||||
| PWD5T60 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
PWD5T60TR 批量生产
PWD5T60 批量生产