GANSPIN611
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650 V增强型氮化镓高功率密度半桥,带高压驱动器

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产品概要

Key Benefits

GaN motor driver

HEMTs embedded, RDS(on) 138 mΩ

Robust and optimized thermal performance

Improved efficiency with losses reduced by up to 20%

Reduced PCB size

By up to 60%

描述

基于氮化镓的电机控制是GaNSPIN平台的核心优势。与多数通用方案或专为电源转换定制的方案不同,GaNSPIN系列专为满足电机控制系统的特殊需求而设计。

GANSPIN611是一款先进的系统级封装功率器件,集成两个增强型氮化镓晶体管,以半桥结构配置,并由先进的高压高频栅极驱动器驱动。

集成的功率氮化镓晶体管具有138 mΩ的RDS(ON) 和650 V漏源击穿电压,而高压侧的嵌入式栅极驱动器可由集成式自举二极管轻松供电。

GANSPIN611专为电机控制设计,将输出dV/dt优化至典型值10 V/ns(硬导通和硬关断均适用),以满足电机控制对EMI、电机绕组及滚珠轴承可靠性的要求。

稳健性和可靠性同样是GaNSPIN系列的显著优势。通过集成先进保护功能,GaNSPIN器件确保系统拥有出色的稳健性。SmartShutdown过流保护功能通过集成逻辑电路和专用快速比较器实现最快响应。

GANSPIN系列还在上下桥臂驱动支路集成线性稳压器,防止功率开关在低效或危险工况下运行,同时互锁功能可避免交叉导通。UVLO针对电机控制进行了微调,以实现出色性能。

GANSPIN611采用紧凑的9x9x1 mm QFN封装,工业级工作温度范围为-40 °C至125 °C。

GaNSPIN611与GaNSPIN612(RDS(ON)为270 mΩ)引脚兼容,最大限度提高平台方案的可扩展性。

  • 性能一览

    • 系统级封装功率器件系列,集成高压氮化镓晶体管(采用半桥拓扑)及高压栅极驱动器:
      • RDS(ON) = 138 mΩ
      • IDS(MAX) = 10 A
    • 具备反向导通能力且无反向恢复损耗
    • 硬导通和硬关断均支持10 V/ns典型输出dV/dt,专为电机控制定制
    • 外部可调导通dV/dt
    • 线性稳压器用于调节高侧和低侧驱动器电源电压
    • 内部自举二极管
    • 带SmartShutdown功能的过流检测比较器
    • VCC、VHS和VLS的UVLO保护
    • 互锁功能、关断、待机及故障引脚
    • 55 ns栅极驱动器实现典型值150 ns的整体输出传播延迟
    • 具有滞后和下拉功能的3.3 V至20 V兼容输入

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STMicroelectronics - GANSPIN611

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