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M95P16-E

批量生产
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超低功耗16 Mb串行SPI Page EEPROM

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产品概述

描述

M95P16-I和M95P16-E(以下统称为M95P16)采用意法半导体先进的专有NVM技术制造。这两款产品提供字节灵活性、页可变更性、高页面循环性能和超低功耗等特性,与EEPROM技术相当。

这两款器件是16 Mbit SPI Page EEPROM,组织为4096个可编程页,每页大小为512字节,通过SPI总线访问,支持高性能的双路和四路SPI输出。

这两款器件提供两个附加的(标识)512字节页:

附加的状态、配置和易失性寄存器用于设置所需的器件配置,而安全寄存器则提供器件状态的信息。

M95P16-I的工作环境温度范围为-40 °C至+85 °C,工作电压范围为1.6 V至3.6 V。M95P16-E支持更宽的温度范围,从-40 °C到+105 °C。这两款器件均支持高达80 MHz的时钟频率。

M95P16支持高达512字节的字节和页写指令。写指令包括自定时自动擦除和编程操作,轻松实现灵活的数据字节管理。

同时,这些器件支持页/存储块/扇区和芯片擦除指令,可将存储器设置为擦除状态。随后,存储器可以通过512字节页进行快速编程,并通过支持缓冲加载指令的页编程进一步优化,以隐藏SPI通信延迟。

  • 所有功能

    • 接口
      • 支持串行外设接口 (SPI) 和双/四路输出
      • 宽电压范围:VCC从1.6 V至3.6 V
      • 温度范围:
        • -40 °C至+85 °C(工业)
        • -40 °C至+105 °C(扩展)
      • 快速读取:
        • 50 MHz读取单路输出
        • 80 MHz快速读取单/双/四路输出,有一个虚拟字节
    • 存储器
      • 16 Mbit Page EEPROM
        • 32 KB存储块,4 KB扇区
        • 页大小:512字节
        • 两页标识页
      • 写操作可擦写次数:
        • 全温度范围内可达50万次循环
      • 数据保存期限:
        • 100年
        • 50万次循环后10年
    • 超低功耗
      • 深度省电模式下为0.6 μA(典型值)
      • 待机模式下为16 μA(典型值)
      • 10 MHz下单路读取时为800 μA(典型值)
      • 页写入时为1.5 mA(典型值)
      • 电流峰值<3 mA
    • 高写入/擦除性能
      • 快速写入/编程/擦除时间:
        • 512字节的字节和页写入时间为2.0 ms(典型值)(包括自动擦除和编程)
        • 页编程(512字节)时间为1.2 ms(典型值)
        • 页擦除时间为1.1 ms(典型值)
        • 扇区擦除时间为1.3 ms(典型值)
        • 存储块擦除时间为4.0 ms(典型值)
        • 芯片擦除时间为8 ms(典型值)
      • 支持缓冲加载的页编程
    • 高级特性
      • 用于实现高存储器可靠性的ECC(DEC、TED)
      • 用于噪声滤波的施密特触发器输入
      • 输出缓冲器可编程强度
      • 用于ISO26262的运行状态标志
      • 软件复位
      • 按存储块写保护,带顶部/底部选项
      • 根据要求提供唯一ID码
      • 电子标识
      • 支持SFDP(串行Flash可发现参数)模式
      • JEDEC标准制造商标识
    • 封装
      • ECOPACK2(符合RoHS标准)和无卤素封装:
        • DFN8 2 x 3 mm
        • SO8N
        • WLCSP8
    • ESD保护
      • HBM(人体模型):2000 V

EDA符号、封装和3D模型

意法半导体 - M95P16-E

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Package

SO-8

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Industrial

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Ecopack2

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