产品概要
Key Benefits
描述
STEVAL-G1407LBCB专为使用隔离式栅极驱动器STGAP2GSN评估SGT140R70ILB 700 V增强型PowerGaN晶体管的电气和热特性而设计。
该半桥配置结合专用外部控制器及滤波电路，可模拟降压、升压、PFC和逆变器等拓扑结构。
STEVAL-G1407LBCB经过优化，在确保快速开关特性的同时减少电压下冲和过冲。
PowerGaN开关安装在FR4 PCB顶层，便于评估不同的热界面材料 (TIM)，从而通过高效的热界面设计使PowerGaN发挥最大功率性能。
SGT140R70ILB是一款106 mΩ（典型值）、700 V、17 A的增强型GaN功率晶体管，结合了创新的PowerFLAT 8x8 HV底部散热封装技术。该器件具备低导通损耗、高电流承载能力和超快开关特性，可实现高功率密度与高能效。
STEVAL-G1407LBCB由STGAP2GSN控制，STGAP2GSN是一款面向增强型GaN FET的电气隔离3 A单通道栅极驱动器。该评估板支持使用专用栅极电阻独立优化导通和关断过程。
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性能一览
- 半桥拓扑，峰值电压630 V
- 配备700 V、106 mΩ（典型值）、17 A增强型PowerGaN晶体管
- 底部阻焊开窗设计，提升散热片性能
- 结到散热器热阻为10 °C/W，用于评估大功率拓扑
- 栅极驱动器电源电压：-3.0 VCC/+6.2 VCC
- 板载可调死区时间发生器，可将单路PWM信号转换为具有10至150 ns死区时间的独立高侧和低侧信号
- 专用输入接口，用于接入外部死区时间PWM信号
- 开关频率高达1 MHz
- MMCX高频连接器，用于测量高侧GaN栅极电压
- GaN漏源电压监测测试点间距5.08 mm
- 可选低侧分流器，用于晶体管源极电流监测
特别推荐
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
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| STEVAL-G1407LBCB | Active 产品已量产 | CARD | Industrial | Ecopack2 | Yes | - | - | |
STEVAL-G1407LBCB
Package:
CARDMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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| Part Number | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Supplier | Core Product | Board production status | |
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| STEVAL-G1407LBCB | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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