STEVAL-G0807LBCB
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Evaluation board for half-bridge with SGT080R70ILB, 60 mOhm typ., 29 A e-mode PowerGaN transistor

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描述

STEVAL-G0807LBCB旨在利用隔离式栅极驱动器STGAP2GS来评估SGT080R70ILB 700 V增强型PowerGaN晶体管的电气和热特性。

该半桥配置配合专用的外部控制器及滤波电路,可模拟降压、升压、功率因数校正和逆变器等拓扑结构。

STEVAL-G0807LBCB经过优化,在确保快速开关特性的同时,可有效减少电压下冲和过冲。

由于PowerGaN开关贴装于FR4印刷电路板 (PCB) 顶面,便于评估各类热界面材料 (TIM),从而使PowerGaN在高效热界面条件下输出最大功率。

SGT080R70ILB是一款60 mΩ(典型值)、700 V、29 A的增强型GaN功率晶体管,结合了创新的PowerFLAT 8x8 HV底部散热封装技术。该器件具备低导通损耗、高电流承载能力和超快开关特性,可实现高功率密度与高能效表现。

PowerGaN晶体管由STGAP2GS驱动;STGAP2GS是一款面向增强型GaN FET的电气隔离型3 A单通道栅极驱动器。该评估板可通过专用栅极电阻,分别优化导通和关断特性。

Quality and Reliability

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STEVAL-G0807LBCB
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STEVAL-G0807LBCB

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Industrial

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