产品概要
描述
STEVAL-G0707TOCB专为使用隔离式栅极驱动器STGAP2GS评估SGT070R70HTO 700 V增强型PowerGaN晶体管的电气和热特性而设计。
该半桥配置配合专用的外部控制器及滤波电路，可模拟降压、升压、功率因数校正和逆变器等拓扑结构。
该评估板经过优化，可在确保快速开关的同时，有效减少电压下冲和过冲。
PowerGaN开关贴装于FR4印刷电路板 (PCB) 顶面，便于对不同热界面材料 (TIM) 进行评估，从而使PowerGaN在高效热界面支持下输出最大功率。
SGT070R70HTO是一款53 mΩ（典型值）、700 V、26 A的增强型GaN功率晶体管，采用底部散热封装技术。该器件具备低导通损耗、高电流承载能力和超快开关特性，可实现高功率密度与高能效。
PowerGaN晶体管由STGAP2GS驱动；STGAP2GS是一款面向增强型GaN FET的电气隔离型3 A单通道栅极驱动器。该评估板通过专用栅极电阻实现导通与关断的独立优化。
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性能一览
- 半桥拓扑，峰值电压630 V
- 配备700 V、53 mΩ（典型值）、26 A增强型PowerGaN晶体管
- 底部阻焊层开窗，实现高散热性能
- 结到散热器热阻8 ℃/W，用于评估大功率拓扑
- 栅极驱动器电源电压：-3.0 VCC/+6.2 VCC
- 板载可调死区时间生成器，可将单路PWM信号转换为独立的高侧和低侧信号，死区时间范围10 ns至150 ns
- 专用输入连接器，用于外部死区时间PWM
- 开关频率高达1 MHz
- MMCX高频连接器，用于高侧GaN栅极电压测量
- GaN漏源电压监测间距5.08 mm
- 可选低侧分流器，用于晶体管源极电流监测
特别推荐
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
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| STEVAL-G0707TOCB | Active 产品已量产 | CARD | Industrial | Ecopack2 | Yes | - | - | |
STEVAL-G0707TOCB
Package:
CARDMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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Sample & Buy
| Part Number | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Supplier | Core Product | Board production status | |
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| STEVAL-G0707TOCB | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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