STDES-SICGPHU3

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面向HU3PAK封装的碳化硅MOSFET测试平台

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产品概述

描述

该测试板包含一个基于两个高压碳化硅MOSFET的半桥 (HB) 结构。MOSFET由隔离式栅极驱动器驱动,而这些驱动器由隔离式DC-DC转换器供电。该系统需要外部连接一个电感器、电源、负载、辅助电源和PWM信号,可用于测试降压或升压配置下的运行情况。该测试平台可连接低电感分流器或同轴分流器,测量通过低侧MOSFET的电流。在这种情况下,该测试板可用作双脉冲测试 (DPT) 工具。

  • 所有功能

    • 半桥结构,由采用HU3PAK封装的碳化硅功率MOSFET组成
    • 两个功率MOSFET均由STGAP2HS驱动。针对碳化硅MOSFET优化的隔离式栅极驱动器
    • 隔离式栅极驱动器由基于L6596I的隔离反激式转换器供电
    • 预设18 V/-3 V电源电压,用于隔离式驱动器的输出级
    • 可设置特定的正负栅极电压
    • 可设置栅极电阻
    • 低电感检测电阻
    • 配备连接同轴分流电阻的连接器,为电流测量提供更高带宽
    • 工作电压高达1 kV

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 等级规格 符合RoHS级别 WEEE Compliant Longevity Commitment Longevity Starting Date 材料声明**
STDES-SICGPHU3
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STDES-SICGPHU3

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