产品概要
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性能一览
- 半桥拓扑结构，包含采用HiP247-4封装的SiC功率MOSFET
- 半桥拓扑结构由针对SiC MOSFET优化的STGAP2HS电隔离式栅极驱动器驱动
- 隔离式门极驱动器由基于L6986I的隔离反激式转换器供电
- 预设+18 V/-3 V电源电压，用于隔离式门极驱动器的输出级
- 可设置特定的栅极电压以及正负电平
- 可设置栅极电阻
- 低电感检测电阻
- 配备连接同轴分流电阻的连接器，为电流测量提供更高带宽
- 规格：
最大直流输入/输出电压：1 kV 输入峰值电流（持续时间最长100 μs）：69 A
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| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
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Board Manufacturing Specifications (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 13 Dec 2022 | 13 Dec 2022 |
BOM (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 13 Dec 2022 | 13 Dec 2022 |
Schematic Pack (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 13 Dec 2022 | 13 Dec 2022 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STDES-SICGP4 | Active 产品已量产 | - | Industrial | - | Yes | - | - | |
STDES-SICGP4
Package:
-Material Declaration**:
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| STDES-SICGP4 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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STDES-SICGP4 Active
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