EVSTGAP2SICSNC
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STGAP2SICSNC隔离式4 A单栅极驱动器演示板

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产品概要

描述

EVSTGAP2SICSNC是一款半桥评估板,专为评估STGAP2SICSNC隔离式单栅极驱动器而设计。

该栅极驱动器具有4 A电流能力和轨到轨输出,适用于大功率逆变器应用,例如配备SiC功率开关的工业用电机驱动器。

其单输出引脚和米勒钳位功能的设计,可有效防止半桥拓扑中快速换向时出现的栅极电压尖峰。

器件内置多种保护功能,包括UVLO和热关断功能,便于设计高可靠性系统。双输入引脚支持选择控制信号极性,并可实现硬件联锁保护,防止控制器故障时的交叉传导。

该器件支持实现负栅极驱动,而板载隔离式DC-DC转换器可提供优化的SiC驱动电压。

EVSTGAP2SICSNC评估板能够评估STGAP2SICSNC的所有功能,同时驱动额定电压高达520 V的半桥功率级。如有需要,可通过将功率开关更换为采用H2PACK-7L或H2PACK-2L封装的相应器件和C29电容,进一步提高总线电压。

开发板组件的设计便于访问和修改,可在不同应用条件下轻松评估驱动器性能,并对最终应用组件进行精确微调。

  • 性能一览

    • 开发板
      • 半桥配置,高压轨高达520 V
      • SCTH35N65G2V-7:650 V、55 mΩ的第2代SiC MOSFET
      • 负栅极驱动
      • 板载隔离式DC-DC转换器为高侧和低侧栅极驱动器供电,输入电压VAUX = 5 V,最大隔离电压5.2 kV
      • VDD逻辑供电由板载生成的3.3 V或VAUX = 5 V提供
      • 驱动电压配置的简易跳线选择:+17/0 V;+17/-3 V;+19/0 V;+19/-3 V
    • 器件
      • 1700 V功能隔离
      • 驱动器电流能力:4 A供电/受电@25 °C
      • 4 A米勒钳位
      • 较短的传输延时:75 ns
      • UVLO功能
      • 栅极驱动电压高达26 V
      • 带滞后的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
      • 温度关断保护
      • 待机功能

Quality and Reliability

Part Number Marketing Status Package Grade 符合RoHS级别 WEEE Compliant Longevity Commitment Longevity Starting Date Material Declaration**
EVSTGAP2SICSNC
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