产品概述
描述
EVSTGAP2SICSNC是一款半桥评估板，专为评估STGAP2SICSNC隔离式单栅极驱动器而设计。
该栅极驱动器具有4 A电流能力和轨到轨输出，适用于大功率逆变器应用，例如配备SiC功率开关的工业用电机驱动器。
其单输出引脚和米勒钳位功能的设计，可有效防止半桥拓扑中快速换向时出现的栅极电压尖峰。
器件内置多种保护功能，包括UVLO和热关断功能，便于设计高可靠性系统。双输入引脚支持选择控制信号极性，并可实现硬件联锁保护，防止控制器故障时的交叉传导。
该器件支持实现负栅极驱动，而板载隔离式DC-DC转换器可提供优化的SiC驱动电压。
EVSTGAP2SICSNC评估板能够评估STGAP2SICSNC的所有功能，同时驱动额定电压高达520 V的半桥功率级。如有需要，可通过将功率开关更换为采用H2PACK-7L或H2PACK-2L封装的相应器件和C29电容，进一步提高总线电压。
开发板组件的设计便于访问和修改，可在不同应用条件下轻松评估驱动器性能，并对最终应用组件进行精确微调。
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所有功能
- 开发板
- 半桥配置，高压轨高达520 V
- SCTH35N65G2V-7：650 V、55 mΩ的第2代SiC MOSFET
- 负栅极驱动
- 板载隔离式DC-DC转换器为高侧和低侧栅极驱动器供电，输入电压VAUX = 5 V，最大隔离电压5.2 kV
- VDD逻辑供电由板载生成的3.3 V或VAUX = 5 V提供
- 驱动电压配置的简易跳线选择：+17/0 V；+17/-3 V；+19/0 V；+19/-3 V
- 器件
- 1700 V功能隔离
- 驱动器电流能力：4 A供电/受电@25 °C
- 4 A米勒钳位
- 较短的传输延时：75 ns
- UVLO功能
- 栅极驱动电压高达26 V
- 带滞后的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
- 温度关断保护
- 待机功能
- 开发板
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质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
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| EVSTGAP2SICSNC | 批量生产 | CARD | 工业 | Ecopack1 | - | - | - | |
EVSTGAP2SICSNC
Package:
CARDMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 供应商 | 核心产品 | |
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| EVSTGAP2SICSNC | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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EVSTGAP2SICSNC 批量生产