EVSTGAP2SICSN

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STGAP2SICSN隔离式4 A单栅极驱动器演示板

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产品概述

描述

EVTGAP2SICSN是一款半桥评估板,旨在评估STGAP2SICSN隔离单栅极驱动器。

该栅极驱动器的特点是具有4 A的电流能力和轨到轨输出,因此该器件还适用于大功率逆变器应用,例如配备SiC电源开关的工业应用中的电机驱动器。

单独的供电和受电输出允许通过专用栅极电阻进行独立的导通和关断优化。

该器件集成了保护功能:包括UVLO和热关断功能,可轻松设计高可靠性系统。双输入引脚允许选择信号极性控制和实现HW联锁保护,以避免在控制器故障时的交叉传导。

该器件允许实施负栅极驱动,而板载隔离式DC-DC转换器可通过SiC的优化驱动电压工作。

EVSTGAP2SICSN板可评估所有STGAP2SICSN功能,同时驱动额定电压高达520 V的半桥功率级。必要时,还可通过H2PACK-7L或H2PACK-2L封装的相关器件和C29电容更换功率开关来增加总线电压。

电路板组件易于访问和修改,以便在不同应用条件下进行驱动器性能评估,并对最终应用组件进行微调。

  • 所有功能

    • 板件
      • 半桥配置,高压轨高达520 V
      • SCTH35N65G2V-7:650 V,55 mΩ第2代SiC MOSFET
      • 负栅极驱动
      • 板载隔离DC-DC转换器,为高压侧和低压侧栅极驱动器供电,由VAUX=5 V供电,最大隔离度为5.2 kV
      • 由板载生成3.3 V或VAUX=5 V提供的VDD逻辑
      • 驱动电压配置的简易跳线选择:+17/0 V;+17/-3 V;+19/0 V;+19/-3 V
    • 器件
      • 1700 V功能隔离
      • 驱动器电流能力:4 A供电/受电@25 °C
      • 独立的供电/受电输出,轻松实现栅极驱动配置
      • 较短的传输延时:75 ns
      • UVLO功能
      • 栅极驱动电压高达26 V
      • 具有迟滞的3.3 V,5 V TTL / CMOS输入
      • 温度关断保护
      • 待机功能

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 等级规格 符合RoHS级别 WEEE Compliant 材料声明**
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