产品概述
描述
EVSTDRVG611MC评估板提供了一款三相逆变器,基于STDRIVEG611半桥GaN栅极驱动器、75 mΩ 650 V增强模式GaN HEMT,以及搭载170 MHz Arm Cortex®-M4 MCU的高性能STM32G431RBT3。
该评估板支持无传感器矢量控制 (FOC),可驱动永磁同步电机 (PMSM) 和无刷直流电机 (BLDC),适用于冰箱压缩机、泵、风扇及工业设备等广泛应用场景。
EVSTDRVG611MC评估板尺寸为109 x 110 mm,采用2层、2 Oz、FR-4 PCB设计,在静止空气中其整体热阻Rth(J-A) 为8.5 °C/W(相当于每个GaN为50°C/W)。
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所有功能
- 采用STDRIVEG611 GaN栅极驱动器的三相拓扑结构
- 采用带开尔文源极的PowerFLAT 5x6 HV封装,集成典型值为75 mΩ的650 V增强模式GaN HEMT
- 采用STM32G431RBT3微控制器,实现高模拟集成度
- 3分流拓扑,支持无传感器矢量控制 (FOC)
- 230 V交流电源线路输入滤波器和整流器
- 典型功率最高600 W,频率为40 kHz
- 调整到10 V/ns dV/dt,以兼顾EMI与电机可靠性
- 接口:UART、编码器、霍尔位置传感器、SWD
- 分流放大器集成在STM32G4中
- 过电流保护
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所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | 細節 | 下載 |
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Board Manufacturing Specifications (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | Options | ||
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| ZIP | 1.0 | 25 Aug 2025 | 25 Aug 2025 |
BOM (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | Options | ||
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| 1.0 | 25 Aug 2025 | 25 Aug 2025 |
Schematic Pack (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 25 Aug 2025 | 25 Aug 2025 |
质量与可靠性
| 料号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
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| EVSTDRVG611MC | 批量生产 产品已量产 | CARD | 工业 | Ecopack1 | - | - | - | |
EVSTDRVG611MC
Package:
CARDMaterial Declaration**:
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EVSTDRVG611MC 批量生产