产品概述
描述
EVLSTGAP3SXS-H是一款半桥评估板，旨在评估STGAP3SXS隔离单栅极驱动器
STGAP3SXS具有10 A电流能力、轨到轨输出以及针对SiC MOSFET优化的UVLO和DESAT保护阈值，是工业应用中大功率电机驱动器的理想之选。
该栅极驱动器有一个输出引脚和一条用于外部米勒钳位N沟道MOSFET的驱动器线路，可优化半桥拓扑中快速换向时的正负栅极尖峰抑制。
该评估板由5 V VAUX连接供电，该连接也为低侧和高侧驱动部分的隔离式DC-DC转换器供电。如果使用5 V MCU，栅极驱动器可直接由VAUX供电；如果使用3.3 V MCU，则可由板载线性稳压器供电。PWM和复位输入可通过专用连接器轻松控制，而诊断输出则连接到板载LED。
器件保护功能（去饱和、软关断和米勒钳位）连接到评估板上的推荐网络，可通过开发板测试点轻松进行评估。
双输入引脚支持信号极性控制选择，并可实现硬件互锁保护，避免控制器故障时发生交叉导通。
该器件支持实现负栅极驱动，而板载隔离式DC-DC转换器可提供优化的SiC MOSFET驱动电压。
通过EVLSTGAP3SXS-H电路板，可以评估STGAP3SXS的所有功能，同时在总线电压高达520 V的条件下工作。如果需要，将两个SiC MOSFET更换为采用HiP247-4封装的适当器件和C4电容，可以将总线电压提高到1200 V。
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所有功能
- 开发板
- 半桥配置
- 高达520 V的高压电源轨（受MOSFET和电容额定值的限制）
- SCTWA70N120G2V-4 SiC MOSFET：1200 V、30 mΩ、91 A
- 兼容5 V和3.3 V MCU
- VDD逻辑供电由板载生成的3.3 V或VAUX = 5 V提供
- 板载隔离DC-DC转换器，为高侧和低侧栅极驱动器供电，由VAUX=5 V供电，最大隔离度为5.2 kVpk
- 驱动电压配置的简易跳线选择：+19/0 V、+19/-4.7 V、+17/0 V、+17/-4.7 V
- 故障LED指示灯
- 最大工作隔离电压：1200 V
- 符合RoHS标准
- STGAP3SXS器件
- 驱动器电流能力：25 °C下拉/灌电流达10 A
- 输入-输出传播延迟：75 ns
- 用于外部N沟道MOSFET的米勒钳位驱动器
- 可调节的软关闭功能
- UVLO功能
- 去饱和保护
- 栅极驱动电压高达32 V
- 负栅极驱动电压
- 带滞后的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
- 温度关断保护
- 增强型电气隔离：隔离电压VISO = 5.7 kVRMS (UL 1577) 瞬态过电压VIOTM = 8 kVPEAK (IEC 60747-17) 最大重复隔离电压VIORM = 1.2 kVPEAK (IEC 60747-17)
- 开发板
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质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
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| EVLSTGAP3SXS-H | 批量生产 | CARD | 工业 | Ecopack1 | - | - | - | |
EVLSTGAP3SXS-H
Package:
CARDMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
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