EVLSTGAP3S6I
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Half-bridge evaluation board for STGAP3S6I IGBT galvanically isolated gate driver with protectioN

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产品概述

描述

EVLSTGAP3S6I是一款半桥评估板,用于评估STGAP3S6I隔离式单栅极驱动器。

STGAP3S6I具备6 A电流能力、轨到轨输出以及针对IGBT优化的UVLO和DESAT保护阈值,这使得该器件非常适合工业应用中的大功率电机驱动器。

该栅极驱动器有一个输出引脚和一条用于外部米勒钳位N沟道MOSFET的驱动器线路,可优化半桥拓扑中快速换向时的正负栅极尖峰抑制。

该评估板由5 V VAUX连接供电,该连接也为低侧和高侧驱动部分的隔离式DC-DC转换器供电。如果使用5 V MCU,栅极驱动器可直接由VAUX供电;如果使用3.3 V MCU,则可由板载线性稳压器供电。PWM和复位输入可通过专用连接器轻松控制,而诊断输出则连接到板载LED。

器件保护功能(去饱和、软关断和米勒钳位)连接到评估板上的推荐网络,可通过开发板测试点轻松进行评估。

双输入引脚支持信号极性控制选择,并可实现硬件互锁保护,避免控制器故障时发生交叉导通。

该器件支持负栅极驱动,板载隔离式DC-DC转换器可提供针对IGBT优化的驱动电压。

EVLSTGAP3S6I评估板支持在高达650 V的总线电压下工作,并可同时评估STGAP3S6I的所有特性。

  • 所有功能

    • 开发板
      • 半桥配置
      • 高压电源轨高达650 V(受IGBT和电容额定值的限制)
      • STGB30M65DFB2 IGBT:650 V,30 A
      • 兼容5 V和3.3 V MCU
      • VDD逻辑供电由板载生成的3.3 V或VAUX = 5 V提供
      • 板载隔离式DC-DC转换器,为高压侧和低压侧栅极驱动器供电,由VAUX = 5 V供电,最大隔离电压为5.4 kVpk
      • 通过跳线轻松选择驱动电压配置:+15/0 V、+15/-4.7 V、+12/0 V、+12/-4.7 V
      • 故障LED指示灯
      • 最大工作隔离电压:650 V
      • 通过RoHS认证
    • STGAP3S6I器件
      • 驱动器电流能力:25 °C时供电/受电电流6 A
      • 输入-输出传播延迟:75 ns
      • 用于外部N沟道MOSFET的米勒钳位驱动器
      • 可调节的软关闭功能
      • UVLO功能
      • 去饱和保护
      • 栅极驱动电压高达32 V
      • 负栅极驱动电压
      • 带滞后的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
      • 温度关断保护
      • 增强型电气隔离:隔离电压VISO = 5.7 kVRMS (UL 1577) 瞬态过电压VIOTM = 8 kVPEAK (IEC 60747-17) 最大重复隔离电压VIORM = 1.2 kVPEAK (IEC 60747-17)

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