EVLSTDRIVEG611

批量生产

产品已量产

STDRIVEG611 600 V高速半桥栅极驱动器评估板，配备75 mΩ、650 V增强型氮化镓HEMT

描述

STDRIVEG611是一款高速半桥栅极驱动器，专为驱动高压增强型氮化镓HEMT进行了优化。

该器件采用独立的大电流受电/供电栅极驱动引脚，集成LDO、欠压保护、自举二极管、带SmartShutDown的过流保护、过温保护、故障与关断引脚，以及待机模式，以4x5mm QFN封装全面支持硬开关拓扑。

EVLSTDRIVEG611评估板简单易用且可快速适配，可用于评估STDRIVEG611驱动75 mΩ（典型值）、650 V增强型氮化镓开关（采用5x6 mm QFN封装）的特性。该评估板同样适用于评估STDRIVEG211的功能特性。

该评估板具有板载的可编程死区时间发生器和一个3.3 V线性稳压器，可以为微控制器等外部逻辑电路供电。

另外还预留了空间，以便为最终应用定制电路板，例如单独的LIN和HIN输入信号或单一PWM信号。

EVLSTDRIVEG611评估板尺寸为56 x 70 mm，采用2层、2 Oz、FR-4 PCB设计，在静止空气中其整体热阻Rth(J-A)为23 °C/W（相当于每个氮化镓器件为46 °C/W），适用于高功率应用的评估。