产品概述
描述
STDRIVEG611是一款高速半桥栅极驱动器，专为驱动高压增强型氮化镓HEMT进行了优化。
该器件采用独立的大电流受电/供电栅极驱动引脚，集成LDO、欠压保护、自举二极管、带SmartShutDown的过流保护、过温保护、故障与关断引脚，以及待机模式，以4x5mm QFN封装全面支持硬开关拓扑。
EVLSTDRIVEG611评估板简单易用且可快速适配，可用于评估STDRIVEG611驱动75 mΩ（典型值）、650 V增强型氮化镓开关（采用5x6 mm QFN封装）的特性。该评估板同样适用于评估STDRIVEG211的功能特性。
该评估板具有板载的可编程死区时间发生器和一个3.3 V线性稳压器，可以为微控制器等外部逻辑电路供电。
另外还预留了空间，以便为最终应用定制电路板，例如单独的LIN和HIN输入信号或单一PWM信号。
EVLSTDRIVEG611评估板尺寸为56 x 70 mm，采用2层、2 Oz、FR-4 PCB设计，在静止空气中其整体热阻Rth(J-A)为23 °C/W（相当于每个氮化镓器件为46 °C/W），适用于高功率应用的评估。
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所有功能
- 半桥拓扑结构，采用STDRIVEG611氮化镓栅极驱动器，配备集成LDO、分离式受电/供电、过流保护、集成自举二极管和待机模式
- 配备75 mΩ（典型值）、650 V增强型氮化镓HEMT
- 可调的硬导通和硬关断dV/dt，典型值设为10 V/ns，适用于电机控制应用
- VCC电源电压范围：10.6 V至18 V（典型值12 V）
- 板载可调死区时间发生器，可将单一PWM信号转换为带死区时间的独立高侧和低侧输入
- 也可以使用带外部死区时间的单独输入
- 可编程过流保护搭配SmartShutDown功能，阈值设为9.5 A
- 预留可选高压大容量电容和自举二极管的占用空间
- 板载3.3 V稳压器用于外部电路供电
- 通过RoHS 认证
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MCSDK Board Description (1)
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物料清单 (1)
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Schematic Pack (1)
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| 1.0 | 19 Sep 2024 | 19 Sep 2024 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
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| EVLSTDRIVEG611 | 批量生产 | CARD | 工业 | Ecopack1 | - | - | - | |
EVLSTDRIVEG611
Package:
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EVLSTDRIVEG611 批量生产
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