EVLSTDRIVEG212

描述

作为STDRIVE产品系列的一部分，STDRIVEG212是一款220 V高速半桥栅极驱动器，专为5 V驱动增强模式GaN HEMT而优化。

该器件采用4x5 mm QFN封装，具备分离式受电/供电大电流栅极驱动引脚、集成LDO、欠压保护、自举二极管、高侧快速启动、过温保护、故障和关断引脚以及待机功能，可完全支持硬开关拓扑。

EVLSTDRIVEG212评估板易于使用，适合并且能快速评估STDRIVEG212驱动两个2.2 mΩ（典型值）、100 V增强模式半桥GaN开关的特性。STDRIVEG212采用4x5 mm QFN封装，而GaN开关采用3x5 mm En-FCQFN封装。EVLSTDRIVEG212评估板同样适用于评估STDRIVEG612的功能特性。

该评估板具有板载的可编程死区时间发生器和一个3.3 V线性稳压器，可以为微控制器等外部逻辑电路供电。

另外还预留了空间，以便为最终应用定制电路板，例如单独的LIN和HIN输入信号或单一PWM信号。

EVLSTDRIVEG212评估板尺寸为56 x 79 mm，采用四层1.5 Oz、FR-4 PCB设计，在静止空气中其无散热片时的整体热阻Rth(J-A)为19 °C/W（相当于每个GaN为38 °C/W），适用于高功率应用的评估。