产品概要
描述
EVLSTDRIVE631P和EVLSTDRIVE631N演示板本身就是功能完备的
三相逆变器，可用于评估STDRIVE631P或STDRIVE631N的特性。功率级配有STGD6M65DF2 IGBT，但是可以添加采用DPAK或PowerFLAT 8x8 HV封装的任何IGBT或功率MOSFET。该板支持三分流或单分流电流检测拓扑。
板载排针连接器，可轻松与MCU控制端对接。
STDRIVE631P和STDRIVE631N为600V栅极驱动器。器件采用单芯片方案，集成三个半桥栅极驱动器，可驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，适用于三相应用。器件内置三个自举二极管和智能关断功能，可检测极快的过流情况。该功能可最大限度地缩短从过流发生到输出关断之间的传输延迟。
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性能一览
- 高压电源轨最高可达600V
- 驱动器电源输入电压范围为9.5V至20V
- STGD6M65DF2 IGBT功率级特性：
- V(BR)CES = 650V
- VCE(sat) = 1.55V @ IC = 6A
- 适用于IGBT/MOSFET的双封装设计：
- DPAK
- PowerFLAT 8x8 HV
- 可选的单分流或3分流电流检测拓扑：
- 有传感器或无传感器BEMF检测
- FOC或六步算法
- SmartShutdown过流保护
- 霍尔效应传感器连接器
- 母线电压检测
- 450V大容量电容
- 用于与MCU对接的连接器
- 符合RoHS标准
所有资源
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Details | 下載 |
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Board Manufacturing Specifications (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 28 May 2026 | 28 May 2026 |
BOM (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 28 May 2026 | 28 May 2026 |
Schematic Pack (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | Actions | Options | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 28 May 2026 | 28 May 2026 |
Quality and Reliability
| Part Number | Marketing Status | Package | Grade | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | Material Declaration** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EVLSTDRIVE631N | Active 产品已量产 | CARD | Industrial | Ecopack1 | - | - | - | |
EVLSTDRIVE631N
Package:
CARDMaterial Declaration**:
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Sample & Buy
| Part Number | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | Package | Packing Type | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Supplier | Core Product | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EVLSTDRIVE631N | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
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EVLSTDRIVE631N Active
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无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
Package:
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ECCN (US):
ECCN (EU):