产品概述
描述
EVLMG1LPBRDR1是一款基于GaN的半桥功率模块，配备MASTERGAN1L，无需完整的PCB设计即可快速创建新的拓扑结构。
该模块经过微调后，可用于LLC应用：实际上，低侧电阻被设置为零，而且每个半桥GaN并联了两个外部体二极管。
只需适当调整低侧感应电阻并移除并联二极管，该模块还可用于有源钳位或谐振峰值电流模式反激式应用。
PCB上嵌入了两个备选的6 V线性稳压器：一个是简单的低成本稳压器，另一个是更精确的不受温度影响的稳压器。由于采用了外部自举二极管和电容，因此可为VCC、PVCC和Vbo提供适当的电源。
该模块只接受单独的驱动信号，延迟时间可通过调整专用的RC滤波器进行调制。
EVLMG1LPBRDR1是30 x 40 mm宽的FR-4 PCB，Rth(J-A)为45 °C/W，无强制对流。
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所有功能
- GaN半桥子板配备MASTERGAN1L，适用于需要快速唤醒功能的电源应用。
- 针对LIN和HIN信号嵌入可独立调节的死区时间。
- 板载6 V备用选项。
- 用于高频解决方案的分立式自举二极管和电容。
- 可调低侧分流器，用于峰值电流模式控制算法。
- 外部并联体二极管用于满足LLC应用需求。
- 结到环境热阻为45°C/W，用于评估大功率拓扑
- 符合RoHS标准。
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质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
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| EVLMG1LPBRDR1 | 批量生产 | CARD | 工业 | Ecopack1 | - | - | - | |
EVLMG1LPBRDR1
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