产品概述
描述
PWD5F60是一款先进的系统级功率封装器件，在紧凑的QFN封装内集成了栅极驱动器与4个N沟道功率MOSFET。
集成功率MOSFET具有1.38 Ω的RDS(ON) 和600 V的漏源击穿电压。嵌入式栅极驱动器具有两个比较器，可用于峰值电流控制或过流保护，并集成了自举二极管。因此，可以在极小空间内高效驱动负载，显著减少外部元件与BOM。
EVALPWD5F60演示了如何使用PWD5F60驱动全桥拓扑中的单相负载，从而实现对流入负载的电流方向与电流值的控制。得益于PWD5F60高度集成特性的典型应用示例：单相BLDC电机与风扇。
得益于PWD5F60的集成特性，演示板具有非常小的占板面积与优化布局，只需提供电源电压和方向信号即可运行。
该演示板可轻松选择和修改外部相关元件值，支持不同应用条件下的快速性能评估以及对最终应用元件进行微调。
-
所有功能
- 集成栅极驱动器和功率MOSFET的系统级功率封装器件特性：
- RDS(ON) = 1.38 Ω
- BVDSS = 600 V
- 内置2个比较器
- 占用面积非常小，所有有源器件均采用SMT技术，无需散热片
- 板载快衰减或慢衰减恒定关断时间峰值电流控制
- 支持PWM电压模式控制，可通过外部逻辑信号实现过流保护
- 驱动器电源电压范围：10 V至20 V
- 低侧和高侧UVLO保护
- 具有滞后和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入
- 内部自举二极管
- 减少BOM
- 非常紧凑且精简的布局
- 灵活快捷的设计
- 符合RoHS标准
- 负载电流最高1 A
- 集成栅极驱动器和功率MOSFET的系统级功率封装器件特性：
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
MCSDK Board Description (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 11 Sep 2018 | 11 Sep 2018 |
物料清单 (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 11 Sep 2018 | 11 Sep 2018 |
Schematic Pack (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| 1.0 | 11 Sep 2018 | 11 Sep 2018 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | WEEE Compliant | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EVALPWD5F60 | 批量生产 | CARD | 工业 | Ecopack1 | Yes | - | - | |
EVALPWD5F60
Package:
CARDMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
Don't show this again
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 供应商 | 核心产品 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EVALPWD5F60 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
|
|
EVALPWD5F60 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
Don't show this again