STTH8S06

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600 V、8 A超快升压二极管 600 V、8 A超快升压二极管

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产品概述

描述

This device is an ultrafast diode based on 600 V Pt doping planar technology.

It can be used in hard switching conditions for power factor corrections. Its extremely low reverse recovery current reduces the switching power losses of the MOSFET and thus increases the overall application efficiency.

This diode is also intended for applications in power supplies and power conversions systems, and all sorts of power switching.

  • 所有功能

    • Ultrafast recovery
    • Low reverse recovery current
    • Low thermal resistance
    • Higher frequency operation
    • Reduces switching and conduction losses
    • Insulated TO-220FPAC:
      • Insulating voltage = 2000 VRMS
      • Package capacitance = 12 pF

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STTH8S06

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符号

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3D model

3D模型

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STTH8S06B-TR
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DPAK 工业 Ecopack2 (**)
STTH8S06D
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TO-220AC 工业 Ecopack2
STTH8S06FP
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TO-220FPAC 工业 Ecopack2

STTH8S06B-TR

Package:

DPAK

Material Declaration**:

Marketing Status

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Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2 (**)

STTH8S06D

Package:

TO-220AC

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

TO-220AC

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

STTH8S06FP

Package:

TO-220FPAC

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

TO-220FPAC

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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STTH8S06D
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STTH8S06B-TR
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STTH8S06FP 批量生产

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RoHS:
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STTH8S06FP

Junction Temperature (°C) (max):

175

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175

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STTH8S06B-TR

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175

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(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商