STPSC8H065C

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650 V、8 A双路高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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产品概述

描述

碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

这款双管配置的二极管特别适用于交错或无桥拓扑,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STPSC8H065C

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