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650 V、8 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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产品概述

描述

碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

ST碳化硅(SiC)二极管特别适用于PFC应用,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

  • 所有功能

    • 在应用电流范围内无反向恢复
    • 开关行为受温度影响小
    • 高耐正向浪涌电流能力
    • 绝缘封装TO-220AC插件:
      • Insulated voltage: 2500 V rms
      • Typical package capacitance: 7 pF

EDA符号、封装和3D模型

意法半导体 - STPSC8H065

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Industrial

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TO-220AC Ins

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TO-220AC Ins

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Industrial

RoHS Compliance Grade

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STPSC8H065G-TR

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D2PAK

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Industrial

RoHS Compliance Grade

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商