产品概述
描述
该款碳化硅（SiC）二极管可采用TO-220AC封装，是一款超高性能的功率肖特基二极管，并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计1200 V额定电压的低VF（正向压降）肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC和二次侧应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。这款二极管将增强目标应用的性能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。
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所有功能
- 符合AEC-Q101标准
- 无反向恢复，或反向恢复可忽略
- 开关行为受温度影响小
- 强大的高电压外设
- 具有PPAP功能（符合生产件批准程序）
- 工作结温，范围从-40 °C 到 175 °C
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STPSC15H12-Y
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 16 Dec 2019 | 16 Dec 2019 |
