L99H92

描述

L99H92可驱动4个采用单H桥或双独立半桥配置的外部N沟道MOSFET晶体管，适用于汽车应用中的直流电机控制。集成了两个可自由配置的电流检测放大器。

该器件具有低功耗模式（待机模式），该模式下的电流消耗小于5 µA。

可编程栅极驱动电流可最大限度地减少EMI。每个栅极驱动器可独立监控其外部MOSFET的漏源电压，以检测故障情况。

可编程交叉电流保护时间可避免每个半桥的高侧和低侧同时激活。

两个关断状态诊断比较器可检测潜在的接地短路、电池短路或开路负载情况。

集成的标准串行外设接口（SPI）控制设备并提供诊断信息。附加的DIAGN输出引脚可在器件出现故障时，以比SPI通信更快的速度向微控制器发出报警。

L99H92器件具有诊断和保护功能，如电源电压监控、电荷泵电压监控、过流保护、温度警告和过热关断。

这些器件采用TQFP32和QFN32封装，均带有裸露焊盘。QFN32具有可湿性侧面，便于焊点目视检查。